金光菊的栽培技術

穴盤育苗
階段一：胚根萌發階段
溫度爲20℃至22℃之間。基質中保持較低的EC值，pH值爲5.8至6.2。種子萌芽需光。播種前需噴施殺真菌劑，播種後覆上一層薄薄的蛭石以保持土壤的溼潤，但不能過於潮溼。避免陽光直射，應進行適當遮陰。
階段二：子葉出現及生長階段
溫度仍保持在20℃至22℃之間。適當降低栽培介質的溼度，但仍不可太過乾燥。EC值不可高於0.75，因爲根系對高濃度的栽培基質敏感。此階段可開始施肥，以50百萬分比濃度至75百萬分比濃度的完全平衡氮肥爲宜。第一、二階段，需14至24天時間。
階段三：真葉生長和發育階段
此階段溫度降低到18℃至20℃。施肥濃度可增至150百萬分比濃度。
階段四：煉苗階段
第四階段的溫度、溼度、施肥濃度基本和第三階段相同。第三、四階段，大約需10至14天的時間。

移栽
移栽上盆萌芽後3至4周，可用6至8釐米的花盆進行移植；5至6周後可用10至17釐米的花盆或3至5升的容器移植上盆，兩次移植對植株的品質有利。切花用的植株間距以25至30釐米×30至35釐米爲宜。

基質
需排水、透氣良好的栽培基質。基質中粘土含量爲20%至30%，每立方米基質中施加1至1.5千克的完全平衡肥料，2千克以內的緩釋肥（3至6個月）。要求基質中含有鐵螯合物和微量營養元素，pH值爲5.8至6.2。

光照
長日照（14至16小時）有利於花芽進行分化。保持高光照水平，有利於莖幹的粗壯和植株品質的提高。冬季和早春，盆栽和切花產品都需進行補光，夜晚可中斷補光。一段時間的短日照可控制植株生長。移植後2至5周置於短日照（10小時）的條件下7至10天，可促進株形緊湊。之後再轉變成長日照（14至16小時）。

溫度
溫度生育適溫爲18℃至25℃。金光菊生長需溫暖的氣候。溫度在16℃以下將延長三週以上的栽培時間，並會導致葉片變紅。不耐霜凍。

施肥
肥料需肥量中等。每週施用100百萬分比濃度至150百萬分比濃度的氮、鉀平衡肥（N：K2O比例爲1：1.5），避免高銨和高氮水平。爲了防止鎂和鐵缺乏，可分別噴施濃度爲0.05%的硫化鎂1至2次，及鐵螯合物1至2次。

澆水
由於金光菊植株纖細，故在生長期要適當節制澆水，抑制高生長，以免倒伏。喜低溼、通風透氣的栽培環境。避免過度澆水和過分乾燥，過於乾燥會導致葉緣壞疽。在冷室中栽培嚴禁從植株上方澆淋，且後期溼度不能過高，以防灰黴菌的孳生。

綁紮

當植株長到1米以上時，需及時設支架進行綁紮，避免植條被風吹折斷。爲了促使側枝生長，延長花期，當第一次花謝後要及時剪去殘花。